半導体光集積素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 工藤 耕治 |
| 发表日期 | 1999-05-07 |
| 专利号 | JP2924811B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性領域と光ビームのスポットサイズ変換領域からなる半導体レーザにおいて、スポットサイズ変換領域の光閉じ込め層と活性層の層厚が光導波路方向に徐々に薄くされる構造では、しきい値電流の上昇、効率の低下等が生じる。 【解決手段】 活性領域Aと光ビームのスポットサイズ変換領域Bを備える半導体レーザにおいて、スポットサイズ変換領域では、光導波層の層厚が光導波方向にテーパ状に薄くなる一方で、そのテーパ部の層厚変化率は、量子井戸層(MQW層)3よりも上下の光閉じ込め層2,4の方が大きくされる。スポットサイズ変換領域Bに活性領域Aと同じ層厚の活性層3があるため、全領域に電流を流すことにより、光学的損失をもたらす領域のない半導体レーザが実現でき、しきい値電流の低減、効率の向上が可能となる。 |
| 公开日期 | 1999-07-26 |
| 申请日期 | 1996-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84818]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 耕治. 半導体光集積素子とその製造方法. JP2924811B2. 1999-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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