光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 2000-07-04 |
| 专利号 | JP2000188441A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体装置及びその製造方法に関し、ストライプ構造体に於けるコア層の成長を平坦な基板上と殆ど同じ状態で実施しながらコア層端面が斜めの構造となるようにする。 【解決手段】 上下をバッファ層33(クラッド層)並びにクラッド層35で挟まれたストライプのコア層34に於ける少なくとも一方の端面が装置の端面から離隔した位置で終端され且つ該終端面がコア層34の水平面に対して(111)面の成長斜面をなすと共にストライプのコア層34の両側面はメサ·エッチング面になっている。 |
| 公开日期 | 2000-07-04 |
| 申请日期 | 1998-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84820]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之,藤井 卓也. 光半導体装置及びその製造方法. JP2000188441A. 2000-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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