レーザ光発生装置
文献类型：专利
| 作者 | 木島 公一朗 |
| 发表日期 | 1994-10-07 |
| 专利号 | JP1994281982A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザ光発生装置 |
| 英文摘要 | 【構成】 波長変換素子6は分極反転構造を有するLiNbx Ta(1-x) O3 (0≦x≦1)基板5にプロトン交換光導波路4を形成してなる。半導体レーザチップ1が基本波レーザ光を発生する。L字状固着部材7及び接着剤8がプロトン交換光導波路4を半導体レーザチップ1の端面に近接するように半導体レーザチップの電界方向とプロトン交換光導波路4の電界方向とを一致させて、ヒートシンク3と波長変換素子6とを固着支持する。このため、基本波レーザ光をプロトン交換光導波路4に導波させることができる。 【効果】 光導波路端面にARコーティングを施さなくてもよい。また、デバイスの小型化が容易となる。さらに、マッチングの工程が容易になる。 |
| 公开日期 | 1994-10-07 |
| 申请日期 | 1992-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84821]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木島 公一朗. レーザ光発生装置. JP1994281982A. 1994-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。