半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 村山 実 |
| 发表日期 | 2000-01-28 |
| 专利号 | JP2000031585A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【構成】 リッジ部30および電流狭窄層32のそれぞれとコンタクト層38との間に第3上部クラッド層34を形成することによって、活性層20からコンタクト層38までの距離Lを十分に長く確保しているので、活性層20から滲み出した光がコンタクト層38へ達して吸収される心配はない。 【効果】 距離Lを十分に長く確保するためにリッジ部30の厚みを大きくする必要がないので、リッジ部30の過剰なサイドエッチングに伴うリッジ部上端幅Hの狭小化を防止でき、直列抵抗の増大を招くことなく高出力化に伴うレーザ特性の劣化を防止できる。 |
| 公开日期 | 2000-01-28 |
| 申请日期 | 1998-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84828]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村山 実. 半導体レーザ装置. JP2000031585A. 2000-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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