分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 阿部 博明 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326932A |
| 著作权人 | アルプス電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ発振の閾電流値の低減が図れる分布帰還型半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 基板12上に、第1のクラッド層13と、活性層14と、第2のクラッド層15と、コンタクト層16と、電流通路を成すストライプ溝19を有する電流ストップ層17と、電極層18とを順次積層し、電極層18から上部クラッド層15にわたって複数の凹部20をそれぞれ一定間隔あけてストライプ溝方向に並設した半導体レーザであって、凹部20の底面に金属膜22を設けた。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1997-05-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84829]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アルプス電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部 博明. 分布帰還型半導体レーザ. JP1998326932A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。