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半導体光素子

文献类型:专利

作者青木 雅博; 谷渡 剛; 鈴木 誠
发表日期1994-09-22
专利号JP1994268316A
著作权人HITACHI LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光素子
英文摘要【目的】 本発明の目的は、光分岐導波路を有する半導体光素子の分岐部での極低光導波損失、作製誤差の少ない安定な分岐比を極めて容易に実現する構造を提供することにある。 【構成】 光分岐導波路(8)が形成される位置に光分岐導波路と同じ形状の間隙が設けられたパターニング形状を有する絶縁膜マスク(7)を施した半導体基板上(1)に結晶成長を行い、半導体の露出した間隙部のみに選択的に結晶成長(選択成長)する。これにより導波路形状を形成した分岐導波路を有する半導体光素子を得る。 【効果】 光導波損失が極めて少なく且つ作製誤差の少ない安定な分岐比を有する半導体光分岐導波路が極めて容易に実現できる。本素子を用いれば、素子作製精度、歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光通信システムの高速化、長距離化を容易に実現できる。
公开日期1994-09-22
申请日期1993-03-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84843]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
青木 雅博,谷渡 剛,鈴木 誠. 半導体光素子. JP1994268316A. 1994-09-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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