半導体光導波素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小倉 一郎 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058979A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光導波素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 【解決手段】 半導体基板10上に形成されたストライプ状の誘電体パターンMPをマスクとする気層成長法を用いて、活性層12を含むダブルヘテロ構造13をストライプ状に形成する第一回目の結晶成長工程(図1(a))と、前記誘電体パターンの幅を広げて気層成長法を用いて前記活性層12を埋め込むクラッド層16、前記クラッド層16上に電極形成のためのキャップ層17を順次形成してストライプ状の導波路構造を形成する第二回目の結晶成長工程(図1(b))と、前記クラッド層16をエッチングして狭ストライプ状に加工するエッチング工程(図1(c))とからなり、前記エッチング工程において、前記キャップ層17をマスクとして、前記クラッド層16を逆メサ状にエッチングすることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84847]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小倉 一郎. 半導体光導波素子とその製造方法. JP2000058979A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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