半導体レーザ装置及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 順; 百瀬 正之; 大家 彰; 中塚 慎一; 右田 雅人 |
| 发表日期 | 1995-12-08 |
| 专利号 | JP1995321419A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体からなる短波長半導体レーザ装置及びその作成方法を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体からなる埋込型半導体レーザ装置において、埋込層9,10,11として、そのレーザ装置の活性層6よりも低い屈折率を有するII-VI族化合物を用いる。その埋込層はレーザ装置の活性層よりも大きな禁制帯幅を有する。また、その埋込層はレーザ装置を成長した基板の格子定数にほぼ格子整合する組成とし、そして、n型クラッド層4-活性層6-p型クラッド層7からなるレーザの動作に、影響を及ぼさないだけ十分に電気的抵抗の高いものとする。 【効果】 短波長II-VI族化合物半導体レーザの低閾電流化が可能となり、また、電極の接触抵抗の低減が可能となり、高信頼性を有するレーザ素子が得られる。 |
| 公开日期 | 1995-12-08 |
| 申请日期 | 1994-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84851]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,百瀬 正之,大家 彰,等. 半導体レーザ装置及びその作製方法. JP1995321419A. 1995-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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