半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口 恭司; 小林 俊雅; 喜嶋 悟; 小林 高志; 朝妻 庸紀; 浅野 竹春; 日野 智公 |
| 发表日期 | 2007-11-16 |
| 专利号 | JP4040192B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の横モードの安定化、高出力化および長寿命化を図ることができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 GaN系半導体レーザにおいて、p型AlGaNクラッド層7の上層部に形成したリッジストライプ部の両側を埋め込むようにAlGaN埋め込み層9を設ける。AlGaN埋め込み層9は、p型AlGaNクラッド層7の上層部、p型GaNコンタクト層8をSiO2 膜21をエッチングマスクに用いてリッジストライプ形状にパターニングした後、リッジストライプ部上にSiO2 膜21を形成した状態で、リッジストライプ部の両側を埋めるようにAlGaN埋め込み層9を無選択成長させ、さらに、AlGaN埋め込み層9をSiO2膜21をエッチング停止層として用いてエッチングし、リッジストライプ部上のAlGaN埋め込み層9を除去することにより形成する。 |
| 公开日期 | 2008-01-30 |
| 申请日期 | 1998-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84859]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 恭司,小林 俊雅,喜嶋 悟,等. 半導体発光素子の製造方法. JP4040192B2. 2007-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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