半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 堀田 等; 五明 明子; 宮坂 文人 |
| 发表日期 | 1995-08-16 |
| 专利号 | JP1995077283B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザにおいて、発振閾電流値を低くし、信頼性を高くする。 【構成】 活性層3とそれを挟むn型クラッド層2とp型クラッド層4からなるデブルヘテロ構造において、n型クラッド層2が、10nm以上300nm以下の厚さのAlを含む薄膜層と3nm以下の厚さの前記薄膜層よりAl組成が小さい、またはAlを含まない薄膜層とからなる多層構造を備えている。このような多層構造を備えることによりヘテロ界面の凹凸を低減する。 |
| 公开日期 | 1995-08-16 |
| 申请日期 | 1993-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84861]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀田 等,五明 明子,宮坂 文人. 半導体レーザ. JP1995077283B2. 1995-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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