半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志; 棚橋 俊之; 近藤 真人 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005976A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は半導体レーザ装置の製造方法に関し,低しきい値電流で, 高効率, 高出力のレーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 メサストライプ構造1aが設けられ, 所定面指数表面を有する化合物半導体基板1の,メサストライプ構造1aの両側に電流ブロック層3が配設され, 化合物半導体基板1上に,少なくとも,断面が湾曲したバッファ層4,下部クラッド層6,活性層8,上部クラッド層10, コンタクト層12が積層されてなる半導体レーザ装置において,メサストライプ構造1aの両側を埋め込むことで生じた電流ブロック層3の斜面3aが, 基板1 表面における所定面指数より傾斜し, 且つ, (311)A面よりも緩斜面に形成されるように,また,窪みが出来ないように,そして活性層が発光部分で窪み状のうねりを持たないように構成する。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84870]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志,棚橋 俊之,近藤 真人. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1994005976A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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