半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 牛嶋 一郎; 小原 治 |
| 发表日期 | 1994-01-21 |
| 专利号 | JP1994013701A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 DFB レーザに関し,光CATVシステムにおける光源に適用可能な低歪みかつ高出力の特性を得るためにコルゲーションの光結合効率を向上することを目的とする。 【構成】 光活性層等の半導体層を成長させる工程またはその前処理工程において高温雰囲気に曝されることによる変形を考慮して, 基板上にあらかじめ形成するコルゲーションを, 平坦で有限の幅を有する凹部と, この凹部より幅の狭い凸部とを交互に繰り返して構成する。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1992-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84875]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛嶋 一郎,小原 治. 半導体レーザの製造方法. JP1994013701A. 1994-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。