半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 西川 祐司 |
| 发表日期 | 1996-04-02 |
| 专利号 | JP1996088435A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザに関し、活性層を加工することなく、且つ、簡単な工程に依って、素子分離を実現できるようにする。 【構成】 半導体基板11上に積層形成された面発光レーザに於けるn型側のクラッド層13、活性層14、p型側のクラッド層15などを含む所要各半導体層と、クラッド層15の表面を覆い且つレーザ光出射用兼電流路用の穴をもつ酸化シリコン層16と、酸化シリコン層16の穴内に露出されたクラッド層15の表面上に形成されたp型側のクラッド層17を含む所要半導体層とを備える。 |
| 公开日期 | 1996-04-02 |
| 申请日期 | 1994-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84877]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 祐司. 半導体レーザ. JP1996088435A. 1996-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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