半導体レーザ装置および光通信装置
文献类型:专利
作者 | 浅野 英樹 |
发表日期 | 2006-10-05 |
专利号 | JP2006269526A |
著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置および光通信装置 |
英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置において、高速性と高信頼性を同時に実現する。 【解決手段】 半導体基板10と、該半導体基板10上に積層された下部クラッド層2と、該下部クラッド層2の上側に積層された活性層3と、該活性層3の上側に積層されて、共振器軸に沿って延びるストライプ状リッジをなす上部クラッド層6と、ストライプ状リッジの両側に形成されて、該ストライプ状リッジ領域に選択的に電流注入させる電流阻止層9と、上部クラッド層6および電流阻止層9の上方に形成されて電極と接触する、上部クラッド層と同一の導電性を有する半導体層10と、該半導体層10の上において、少なくともストライプ状リッジの上方領域を除いて積層された誘電体絶縁層20と、該誘電体絶縁層20の全面または一部領域、および半導体層の10上に形成された電極21とを備えてなる半導体レーザ装置において、半導体層10の不純物濃度を1×1018/cm3以下とする。 【選択図】図2 |
公开日期 | 2006-10-05 |
申请日期 | 2005-03-22 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84879] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹. 半導体レーザ装置および光通信装置. JP2006269526A. 2006-10-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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