半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 岡田 直子; 近藤 真人; 古谷 章; 鬼頭 泰浩 |
| 发表日期 | 1994-09-16 |
| 专利号 | JP1994260717A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は半導体レーザの製造方法、特に600nm帯のAlGaInP系の可視光半導体レーザを作成する技術に関し、キャビティの端面の表面準位密度を低減し、キャビティの端面近傍の結晶中に存在する非発光再結合準位の形成を抑制して、発光効率の高い、且つ、端面の光学的損傷が抑制され、高出力動作を達成する半導体レーザを作成することを目的とする。 【構成】 半導体基板1上に少なくとも、AlGaInPからなる第1クラッド層2及び第2クラッド層3と、第1クラッド層2及び第2クラッド層3に挟まれたGaInP或いはAlGaInPからなる活性層4とを有する半導体発光装置において、少なくとも一方の、キャビティ端面5の端面から端面近傍の結晶内部に亘って、Se、或いはTe、或いはSのVI族元素6が導入されたVI族元素導入領域7を有するように構成する。 |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 申请日期 | 1993-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84881]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡田 直子,近藤 真人,古谷 章,等. 半導体レーザ. JP1994260717A. 1994-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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