半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 吉武 士郎; 塩澤 秀夫 |
| 发表日期 | 1993-03-19 |
| 专利号 | JP1993067839A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 寿命の長い高出力化された半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 (1,0,0)面から[0,1,-1]方向に傾斜角度θが0<θ≦10度の範囲で傾斜したGaAs半導体基板102の主面103上に、間にInGaPのアンドープ活性層106を備えてInGaAlP系の第1,第2クラッド層105,107を結晶成長させ、[0,1,1]方向に電流狭窄用の溝109を形成し、(0,1,1)面に平行な劈開面で共振器を形成して半導体レーザ装置が構成される。そして活性層106は格子不整が小さく内部歪が少なくなるような組成に設定しているにもかかわらず、自然超格子構造が助長されたものとなっていてバンドギャップエネルギが小さくなり、第1,第2クラッド層105,107とのバンドギャップエネルギの差は大きなものとなり、装置は比較的容易に作成することができると共に寿命が長く高出力で駆動できるものとなる。 |
| 公开日期 | 1993-03-19 |
| 申请日期 | 1991-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84886]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉武 士郎,塩澤 秀夫. 半導体レーザ装置. JP1993067839A. 1993-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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