半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山本 三郎 |
| 发表日期 | 2006-08-24 |
| 专利号 | JP2006222294A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】{100}結晶面から方向へ傾いた面を主面とする化合物半導体オフ基板を用いても、しきい値電流を低くすることでき、かつ、出力を高めることできる半導体レーザを提供する。 【解決手段】上記赤色半導体レーザは、{100}結晶面から順メサ方向に15度傾いた面を主面とするn型GaAsオフ基板1を備えている。n型GaAsオフ基板1の主面には、方向に延在する逆メサストライプ形状の赤色レーザ用リッジ2が形成されている。赤色レーザ用リッジ2の上面には、n型AlGaInPクラッド層3、AlGaInP活性層4およびp型AlGaInP第1クラッド層5が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-08-24 |
| 申请日期 | 2005-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84892]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 三郎. 半導体レーザ. JP2006222294A. 2006-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。