オプトエレクトロニクスデバイス
文献类型：专利
| 作者 | マルクス‐クリスチアン アマン; シユテフアン イレーク |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129955A |
| 著作权人 | SIEMENS AG |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | オプトエレクトロニクスデバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 導かれたモードの望ましくない内部の後方反射ができるだけ阻止されるような、同方向のモード結合を持つオプトエレクトロニクデバイスを提供する。 【解決手段】 オプトエレクトロニクスデバイスにおいて、2つの導波路膜WG1、WG2と周期的にパターン化された膜Δnとが設けられ、これらは互いに平行に配置されかつその導波路膜内を導かれたモード間に同方向の結合が生ずるように設計され、このモードの導波にとって重要な有効屈折率の実部での前記結合のために必要ではない従って望ましくない跳びは、この周期的にパターン化された膜又は別の膜内に、膜平面に対する横方向又は縦方向の寸法又は材料組成の連続的又は多段状変化がモードの伝播方向に生ずるようにすることによって回避される。 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1996-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84898]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SIEMENS AG |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | マルクス‐クリスチアン アマン,シユテフアン イレーク. オプトエレクトロニクスデバイス. JP1997129955A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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