Light absorbing layer for ii-vi semiconductor light emitting devices
文献类型：专利
| 作者 | HAASE, MICHAEL, A.; BAUDE, PAUL, F. |
| 发表日期 | 2000-06-14 |
| 专利号 | EP1008213A1 |
| 著作权人 | MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Light absorbing layer for ii-vi semiconductor light emitting devices |
| 英文摘要 | A II-VI semiconductor light emitting device includes a II-VI semiconductor light emitting region and a II-VI semiconductor waveguide layer. A light absorbing layer is provided near the II-VI semiconductor waveguide layer, outside of the active region. The light absorbing layer absorbs extraneous radiation thereby reducing dark line defects (DLDs). |
| 公开日期 | 2000-06-14 |
| 申请日期 | 1998-07-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84917]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HAASE, MICHAEL, A.,BAUDE, PAUL, F.. Light absorbing layer for ii-vi semiconductor light emitting devices. EP1008213A1. 2000-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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