Semiconductor laser apparatus
文献类型：专利
| 作者 | SHIGIHARA, KIMIO |
| 发表日期 | 2010-07-13 |
| 专利号 | US7756179 |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser apparatus |
| 英文摘要 | A semiconductor laser apparatus can improve electric conversion efficiency to a satisfactory extent. The apparatus includes an n-type cladding layer, an n-type cladding layer side guide layer, an active layer, a p-type cladding layer side guide layer, and a p-type cladding layer, wherein electrons and holes are injected into the active layer, transverse to the active layer, through the n-type cladding layer side guide layer and the p-type cladding layer side guide layer. The p-type cladding layer side guide layer is thinner than the n-type cladding layer side guide layer to position the active layer closer to the p-type cladding layer, and, at the same time, the refractive index of the p-type cladding layer side guide layer is higher than the refractive index of the n-type cladding layer side guide layer. |
| 公开日期 | 2010-07-13 |
| 申请日期 | 2008-02-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84933]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIGIHARA, KIMIO. Semiconductor laser apparatus. US7756179. 2010-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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