半導体レーザ素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲広▼山 良治 |
| 发表日期 | 2001-10-05 |
| 专利号 | JP3238971B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 しきい値電流の低減、信頼性の向上、製造の簡単化が図れるAlGaInP系半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層2、アンドープのAlGaInP活性層3、p型AlGaInP第1クラッド層4を設け、このp型AlGaInP第1クラッド層4上にZnとSiをドープしたp型AlGaInP第2クラッド層5、その両側に同じくZnとSiをドープしたn型AlGaInP電流阻止層6、6を形成した構造とする。 |
| 公开日期 | 2001-12-17 |
| 申请日期 | 1993-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84939]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲広▼山 良治. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP3238971B2. 2001-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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