半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨士原 潔; 石野 正人; 松井 康 |
| 发表日期 | 1993-04-30 |
| 专利号 | JP1993110189A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込み型半導体レーザの製造において、あらかじめ基板側にコンタクト層を形成しておくことにより、ストレスを加えることなしにウェハー加工を可能とし、信頼性の高いチップを得ることを目的とする。 【構成】 n-InP基板1上にn-InGaAsPコンタクト層14、n-InPバッファ層2を積層させ、さらにInGaAsP活性層3、p-InPクラッド層4を積層させた半導体多層膜構造ウエハーにおいて、エッチングによりメサストライプを形成した後、埋め込みエピタキシャル成長を行い、メサストライプ6以外の領域にp-InP電流ブロック層7、n-InP電流ブロック層8を成長させた後、さらにp-InP埋め込み層9、p-InGaAsPコンタクト層10を順次成長させ、埋め込み型へテロ構造を形成する。次に、p-InGaAsPコンタクト層10上にp型電極12を形成後、n-InP基板1を塩酸系溶液のエッチングで除去し、さらにBr-メタノール液でn-InGaAsPコンタクト層14をエッチングした後、n型電極13を形成する。以上の製造方法により、ストレスを加えることなく、所望の厚みのウェハーを得ることができる。 |
| 公开日期 | 1993-04-30 |
| 申请日期 | 1991-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84940]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨士原 潔,石野 正人,松井 康. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1993110189A. 1993-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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