半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章; 穴山 親志; 杉浦 勝己; 中尾 健誠; 長谷川 太郎 |
| 发表日期 | 2005-05-20 |
| 专利号 | JP3679010B2 |
| 著作权人 | ユーディナデバイス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】S3 型半導体レーザに関し、光出力特性のキンク強度を改善すること。 【解決手段】段差基板1上に形成される第1n型クラッド層4のうちの上側の斜面4aの下部測線と下側の斜面3aの下部側線とを結ぶ第1成長形状線が主面に対してなす角度をθ1 とし、第1n型クラッド層4上の第2n型クラッド層5のうちの上側の斜面5aと下側の斜面4aのそれぞれの下部測線を結ぶ第2成長形状線が主面に対してなす角度をθ2 とし、第2n型クラッド層5上の第3n型クラッド層6のうちの上側の斜面6aと下側の斜面5aのそれぞれの下部側線を結ぶ第3成長形状線が主面に対してなす角度をθ3 とし、第3n型クラッド層6上の第4n型クラッド層7のうちの上側の斜面7aと下側の斜面6aのそれぞれの下部側線を結ぶ第4成長形状線が主面に対してなす角度をθ4 として、θ1 2 、θ2 >θ3 、θ3 4 の関係を満たすこと。 |
| 公开日期 | 2005-08-03 |
| 申请日期 | 2001-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84950]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ユーディナデバイス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,穴山 親志,杉浦 勝己,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3679010B2. 2005-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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