半導体発光素子および発光ランプ
文献类型：专利
| 作者 | 八木 克己; 上田 康博 |
| 发表日期 | 1998-10-09 |
| 专利号 | JP1998270754A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子および発光ランプ |
| 英文摘要 | 【課題】 光出力が向上された半導体発光素子を提供することである。 【解決手段】 サファイヤ基板1上にAlGaNバッファ層1a、n側コンタクト層を兼ねるn型GaNクラッド層2、n型InGaN活性層3、p型AlGaNクラッド層4およびp型GaNコンタクト層5が順に形成される。p型GaNコンタクト層5からn型GaNクラッド層2の所定深さまでの一部領域が除去され、n型GaNクラッド層2が露出している。露出したn型GaNクラッド層2上にn側電極6が形成され、p型GaNコンタクト層5上にp側電極8が形成される。サファイヤ基板1の裏面に金属反射膜8が形成される。 |
| 公开日期 | 1998-10-09 |
| 申请日期 | 1997-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84955]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 克己,上田 康博. 半導体発光素子および発光ランプ. JP1998270754A. 1998-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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