半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 船水 将久 |
| 发表日期 | 1993-10-29 |
| 专利号 | JP1993283813A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、不純物プロファイルの急峻な界面を形成することを目的とする。 【構成】 本発明では、基板表面に形成された第1の半導体層表面に、第1の不純物を高濃度に含有した不純物吸着層を形成する不純物吸着層形成工程と、さらに前記不純物吸着層上に第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層内に、拡散係数が前記第1の不純物より大きい第2の不純物を拡散させ、前記不純物吸着層で前記第2の不純物を阻止し、前記第1の半導体層と不純物濃度または不純物の異なる第2の半導体層を形成する第2の半導体層形成工程とを含むようにしている。 |
| 公开日期 | 1993-10-29 |
| 申请日期 | 1992-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84956]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 船水 将久. 半導体装置の製造方法. JP1993283813A. 1993-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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