半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中山 典一; 大原 真穂; 金子 由美; 谷口 理; 長井 政春 |
| 发表日期 | 1999-06-02 |
| 专利号 | JP1999150329A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 亜鉛(Zn)等のII族元素とセレン(Se)等のVI族元素とを含む半導体層のエッチング速度が材料に大きく依存せず、精度良い加工を行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板1の表面にバッファ層2,第1のII-VI族バッファ層3,第2のII-VI族バッファ層4,第1導電型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8,第2導電型クラッド層9,第1の半導体層10,第2の半導体層11,超格子層12およびコンタクト層13を順次エピタキシャル成長させたのち、コンタクト層13の上に帯状パターンのレジスト膜20を形成する。このレジスト膜20をマスクとしてウエットエッチングを行い、コンタクト層13,超格子層12および第2の半導体層11を選択的に除去する。エッチャントとして過酸化水素(H2 O2 )、フッ化水素(HF)および塩酸(HCl)を含む混合液を用いる。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1997-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84958]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 典一,大原 真穂,金子 由美,等. 半導体素子の製造方法. JP1999150329A. 1999-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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