半導体分布帰還型レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 井上 武史; 中島 眞一 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167179A |
| 著作权人 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層5の厚みに周期的な変化を設けて利得結合を実現するとともに、その厚みの変化により生じる屈折率の周期変化を相殺するためその近傍に周期屈折率層3、4を設けた半導体分布帰還型レーザ装置において、製造後に屈折率結合の大きさを調整できるようにする。 【構成】 活性層5への電流注入とは独立に周期屈折率層3、4の少なくとも一部に電流を注入できるようにし、電流値によりその層の屈折率を制御する。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84960]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 武史,中島 眞一. 半導体分布帰還型レーザ装置. JP1993167179A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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