半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 芳賀 徹; 河野 敏弘 |
| 发表日期 | 1997-11-18 |
| 专利号 | JP1997298334A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リーク電流を低減した低閾値埋込ヘテロレーザを提供する。 【解決手段】変曲点の無い滑らかな側面形状を持つメサストライプを形成し、その埋込成長で最初にZnドープp型InP層を、次にSiドープn型InP層(n-InPブロック層)を連続し、次に同じ成長装置(MOCVD装置)内でZnを拡散し、表面層をp型のInP層とすることにより、表面層をp型のInP層となし、埋め込んだブロック層の周囲を移動度の小さいp型InP層で囲んだ構造とする。 |
| 公开日期 | 1997-11-18 |
| 申请日期 | 1996-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84969]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芳賀 徹,河野 敏弘. 半導体装置およびその製造方法. JP1997298334A. 1997-11-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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