半導体レーザモジュール
文献类型：专利
| 作者 | 芝 和宏 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186660A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザモジュール |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザと光ファイバーの光軸合わせの高い許容度と、高い結合率と同時に、高い反射減衰量を併せ持つ半導体レーザモジュールを提供すること。 【解決手段】 光出射面側に低反射率膜を施した分布帰還型半導体レーザと光ファイバーからなり、半導体レーザの光出射面と光ファイバーとの間にフッ素添加シリコン媒質を挿入し、半導体レーザの低反射率膜の反射率を該フッ素添加シリコン媒質に対して4%以下としたことを特徴とする半導体レーザモジュール。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芝 和宏. 半導体レーザモジュール. JP1999186660A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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