半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 治彦 |
| 发表日期 | 1994-05-31 |
| 专利号 | JP1994152066A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 pn逆接合による電流狭窄をより効果的にして、簡単な製法で高出力で温度特性が優れた高性能半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 n-p-n-p-nの接合を採用することにより、活性層周辺に第1のn-p接合を設け、活性層に対応するp-クラッド層に溝状部を設置するn-InGaAs(P)から成るコンタクト層を設けるが、溝状部とは凹部、溝部、V溝ならびに蟻溝の総称である。このコンタクト層にAuZnなどの電極を形成して、熱処理を施すと、AuZnなどの電極金属が溝状部下のn-InGaAs(P)コンタクト層ばかりでなくp-クラッド層とも反応する。この結果溝状部の下方には、pn接合ができず、その周辺部に第2の逆接合であるn-p接合を形成する。このように活性層の周辺には、2個の逆接合を形成するために、活性層に効率良く電流が注入する。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1992-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84973]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 治彦. 半導体レーザ素子. JP1994152066A. 1994-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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