半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小路 元 |
| 发表日期 | 2000-09-29 |
| 专利号 | JP2000269603A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】埋込構造を有する半導体レーザに関し、高温·高電流注入の条件下でもレーザ特性の劣化が少なく、低閾値、高効率の動作を可能にし、しかも設計の自由度を広げることことを目的とする。 【解決手段】第1導電型の半導体基板1の上に形成された第1導電型の第1のクラッド層2と活性層3と第2導電型の第2のクラッド層4を含むメサストライプ6と、メサストライプ6の両側方で半導体基板1の上に形成された第2導電型の埋込層8と、埋込層8の上に形成された第1導電型の電流ブロック層9と、メサストライプ6の下側部に接し、メサストライプ6の両側方で半導体基板1と埋込層8の間でヘテロ接合し、埋込層8の吸収端波長よりも短い吸収端波長を有し且つ半導体基板1に格子整合する材料からなる少なくとも1つの量子井戸層7wを含む電流リーク防止層7とを含む。 |
| 公开日期 | 2000-09-29 |
| 申请日期 | 1999-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84993]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小路 元. 半導体レーザ. JP2000269603A. 2000-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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