半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 安部 克則; 渥美 欣也; 木村 裕治; 松下 規由起 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125266A |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】パルス駆動を用いた半導体レーザにおいて、逆電圧が印加されても半導体レーザが絶縁破壊することがないようにする。 【構成】 半導体レーザは、n-GaAs基板1上に、n-GaAs層2、n-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層3、Al0.2 Ga0.8 As/ GaAs多重量子井戸構造からなる活性層4、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5、p-GaAs層6が順に積層された構成となっており、パルス駆動によりレーザ光を出力する。ここで、活性層4に接するクラッド層3、5のうちクラッド層3の不純物濃度をクラッド層5より低くし、かつクラッド層3の不純物濃度を1×1017cm-3以下とした。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85001]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安部 克則,渥美 欣也,木村 裕治,等. 半導体レーザ. JP1996125266A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。