半導体レーザアレイ装置
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 内藤 浩樹; 太田 一成 |
| 发表日期 | 1993-09-03 |
| 专利号 | JP1993226765A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流ブロック層にクラッド層よりも屈折率が小さいかまたは禁制帯幅が大きい半導体層を用い、かつ活性層に量子井戸構造を用いて半導体レーザレーザアレイを構成することにより、低動作電流で位相同期発振させ、大出力化を実現する。 【構成】 n型GaAs基板1の上に、n型AlGaAs層からなるクラッド層3と、量子井戸活性層4と、p型AlGaAs層からなるクラッド層5が形成されており、その上にクラッド層5よりAlAs混晶比が大きくストライプ状の溝を有するブロック層7が形成されており、かつその溝の中にはブロック層7よりAlAs混晶比の小さなAlGaAs層からなるクラッド層6が形成された構成を有する。この構成により、隣合うストライプ間のレーザ光の位相を同期させ、ストライプ間でのレーザ光の損失をなくして高効率発振を可能にする。 |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 申请日期 | 1992-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,内藤 浩樹,太田 一成. 半導体レーザアレイ装置. JP1993226765A. 1993-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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