半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大村 悦司 |
| 发表日期 | 1993-04-30 |
| 专利号 | JP1993110209A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 エッチングストッパ層としてSiを用い、エッチング液として、Siはエッチングされず、AlGaAsのみエッチングされるHFを採用した。 【効果】 エッチングストッパ層を酸化させることなくエッチングを自動的に停止することが可能となり、リッジを埋め込む再成長が再現性良く、しかも容易に行えるようになり、リッジ型半導体レーザの発振横モードが安定する。 |
| 公开日期 | 1993-04-30 |
| 申请日期 | 1991-10-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85016]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大村 悦司. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1993110209A. 1993-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。