半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 伊地知 哲朗 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP3133555B2 |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 素子分離の工程で半導体結晶をへき開したときに、原子レベルの平坦な面が容易に得られる半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 ストライプ状リッジ11の両側を樹脂6で埋め込んだリッジ導波路型半導体レーザ素子において、樹脂6は発振方向の端面部近傍を除いて埋め込まれている。 |
| 公开日期 | 2001-02-13 |
| 申请日期 | 1993-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85021]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,伊地知 哲朗. 半導体レーザ素子. JP3133555B2. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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