半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 厚主 文弘; 大久保 伸洋 |
| 发表日期 | 2005-03-04 |
| 专利号 | JP3652072B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 発振閾値電流を低減し、低消費電力で且つ高い信頼性を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 pn界面に隣接した厚さ10nmから300nmの範囲の薄膜層を低キャリア濃度とする。具体的には、活性層の上下に配置され、導電性のそれぞれ異なるクラッド層を1E16cm-3から1E17cm-3の低いキャリア濃度で且つ10nmから300nmの層厚をもつ第1の上下クラッド層と5E17cm-3から1E18cm-3の高いキャリア濃度を有する第2の上下クラッド層の少なくとも上下の両クラッド層を2層以上の構成にする。 |
| 公开日期 | 2005-05-25 |
| 申请日期 | 1997-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85027]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 厚主 文弘,大久保 伸洋. 半導体レーザ素子. JP3652072B2. 2005-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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