半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 忠朗; 今藤 修; 粂 雅博 |
| 发表日期 | 1997-08-15 |
| 专利号 | JP1997214048A |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光の活性層外へのしみ出し量を抑制しつつ、ストライプ窓を通る垂直方向の光強度分布を広げて、垂直方向の光閉じ込め係数を維持したままで垂直方向のレーザ光のビーム放射角を低減することができるようにする。 【解決手段】 GaAs基板1の上に、GaAsバッファ層2、第2クラッド層3、第3低屈折率層4、量子井戸構造の活性層5、第1低屈折率層6、光ガイド層7及び電流ブロック層8が順次形成され、光ガイド層7と電流ブロック層8との上に第2低屈折率層9、第1クラッド層10及びコンタクト層11が順次形成されている。第2クラッド層3、第3低屈折率層4、第1低屈折率層6、電流ブロック層8、第2低屈折率層9及び第1クラッド層10の各層は、それぞれAlAs混晶比がXc2,Xl3,Xl1,Xb ,Xl2及びXc1のGaAlAs混晶体により構成されており、混晶比の間にXb >Xl1≧Xl2>Xc1,Xb >Xl3>Xc2の関係が成立している。 |
| 公开日期 | 1997-08-15 |
| 申请日期 | 1996-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85041]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 忠朗,今藤 修,粂 雅博. 半導体レーザ装置. JP1997214048A. 1997-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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