窒化物系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 今藤 修; 油利 正昭; 橋本 忠朗; 石田 昌宏; 杉野 隆 |
| 发表日期 | 1998-10-23 |
| 专利号 | JP1998284802A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶基板上に形成した窒化物系化合物半導体膜中で生じる欠陥成長およびクラック発生を抑制する。 【解決手段】 サファイア基板1上にn型GaNクラッド層2、n型InGaN活性層3、p型GaNクラッド層4、p型電極5を順次に積層形成する。また、n型GaNクラッド層2にn型電極6を形成する。サファイア基板1の膜厚を50μmとし、n型GaNクラッド層2の膜厚を60μmとすることにより、サファイア基板1の膜厚をn型GaNクラッド層2の膜厚より小さくする。 |
| 公开日期 | 1998-10-23 |
| 申请日期 | 1997-04-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85044]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今藤 修,油利 正昭,橋本 忠朗,等. 窒化物系化合物半導体発光素子. JP1998284802A. 1998-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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