半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 波多野 吾紅; 泉谷 敏英; 大場 康夫 |
| 发表日期 | 1997-08-19 |
| 专利号 | JP1997219541A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低動作電流で動作する、信頼性の高い窒化物半導体系発光素子を提供すること【解決手段】 基板上に活性層を含むダブルヘテロ接合を構成するように積層されたGaN系半導体層と、このGaN系半導体層上に形成されたGaN系半導体からなる電流阻止層とを備える窒化物半導体発光素子。 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 申请日期 | 1991-07-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85046]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多野 吾紅,泉谷 敏英,大場 康夫. 半導体発光素子. JP1997219541A. 1997-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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