半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 秋本 克洋; 奥山 浩之 |
| 发表日期 | 1999-09-24 |
| 专利号 | JP2982340B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | PURPOSE:To constitute a double hetero junction semiconductor laser having stabilized characteristics. CONSTITUTION:In a semiconductor laser in which at least a first clad layer 2, an active region 3, and a second clad layer 4 are epitaxially deposited on a GaAs substrate or GaP substrate 1, p-type clad layers are formed of II-VI compound semiconductor containing Bc. |
| 公开日期 | 1999-11-22 |
| 申请日期 | 1991-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85048]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋本 克洋,奥山 浩之. 半導体レーザ. JP2982340B2. 1999-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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