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半導体発光素子およびそれを用いた光ディスク装置

文献类型:专利

作者戸田 淳
发表日期1998-07-31
专利号JP1998200216A
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子およびそれを用いた光ディスク装置
英文摘要【課題】 キャリアおよび光を活性層により良く閉じ込めることができる半導体発光素子およびそれを用いた光ディスク装置を提供する。 【解決手段】 GaAsよりなる基板1の上に活性層6とその両側にガイド層5,7を形成する。ガイド層5,7は、活性層6側の第1ガイド層5a,7aと第1導電型クラッド層4または第2導電型クラッド層8側の第2ガイド層5b,7bとによりそれぞれ構成する。第1ガイド層5a,7aはZnSeにより、第2ガイド層5b,7bはZnS0.06Se0.94混晶によりそれぞれ構成する。第1ガイド層5a,7aの厚さの合計は臨界膜厚以下(150nm以下)にする。これにより、結晶性を高く保持しつつ、キャリアおよび光を活性層により良く閉じ込めることができる。
公开日期1998-07-31
申请日期1997-01-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85062]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
戸田 淳. 半導体発光素子およびそれを用いた光ディスク装置. JP1998200216A. 1998-07-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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