半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 柿本 昇一 |
| 发表日期 | 1997-01-17 |
| 专利号 | JP1997018081A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、共振器長が波長と同程度の半導体レーザを用いて、埋め込み界面で発生する無効電流をなくして、零閾値電流の半導体レーザを提供することを目的とするものである。 【構成】 半導体基板1上に順次形成された第1の多層反射膜2、第1のクラッド層3を含むp型の第1の半導体層14、活性層13を含む超格子層15、第2のクラッド層5を含むn型の第2の半導体層16、第1の多層反射膜2と略レーザ光の波長の1/2または整数倍の間隔で配設した第2の多層反射膜10を備え、第1のクラッド層3、活性層13及び第2の半導体層16の周囲に亜鉛を注入して、活性層13の周囲の超格子層を無秩序にするとともに、第1のクラッド層3の周囲の第1の半導体層14及び第2のクラッド層5の周囲の第2の半導体層16をp型とした半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1997-01-17 |
| 申请日期 | 1995-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85063]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柿本 昇一. 半導体レーザ. JP1997018081A. 1997-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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