半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス
文献类型：专利
| 作者 | レオン·ゴルドスタン; フランソワ·ブリルエ; カトリーヌ·フオルタン; ジヨエル·ジヤケ; ポール·サレ; ジヤン·リユツク·ラフラジエツト; アントニーナ·プレ |
| 发表日期 | 1998-04-24 |
| 专利号 | JP1998107389A |
| 著作权人 | ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D’ELECTRICITE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス |
| 英文摘要 | 【課題】 ヒ化ガリウムの単位胞とともに結晶化可能な少なくとも一つの材料をリン化インジウムの結晶ウェーハ(P1)上に折出させるためのエピタキシャル折出方法。 【解決手段】 このような結晶化可能な材料は変成層を形成する。このような変成層は、マトリックスの面発光レーザの共振空洞を形成するための半導体ブラグミラー(43、M2)となる。このマトリックスは、ケイ素の支持体(50)によって固設される。本発明は光通信に適用される。 |
| 公开日期 | 1998-04-24 |
| 申请日期 | 1997-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85071]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D’ELECTRICITE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | レオン·ゴルドスタン,フランソワ·ブリルエ,カトリーヌ·フオルタン,等. 半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス. JP1998107389A. 1998-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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