半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 上谷 ▲高▼弘; 庄野 昌幸 |
| 发表日期 | 2005-01-07 |
| 专利号 | JP3634458B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 可飽和光吸収層を有する良結晶性の半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【解決手段】 活性層5と、これを挟むように設けられたクラッド層3、7、11と、を備える半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の上記クラッド層7、11の間に歪みを有する可飽和光吸収層9と、可飽和光吸収層9に隣接して上記歪みと逆の歪みを有する補助層8、10を備える。 |
| 公开日期 | 2005-03-30 |
| 申请日期 | 1995-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85078]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上谷 ▲高▼弘,庄野 昌幸. 半導体レーザ素子. JP3634458B2. 2005-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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