光結合デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三冨 修; 池田 正宏; 笠谷 和生 |
| 发表日期 | 1993-05-07 |
| 专利号 | JP1993114767A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光結合デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 複数のデバイスを集積化した機能素子間を低損失で光結合をとる。 【構成】 InP半導体基板401の(100)面上にSiO2選択成長マスク413を形成する。このとき、マスク間隙のストライプ方向(光導波路の光伝搬方向)を[011]方向に設定する。次にクラッド層408を厚さtcだけエピタキシャル成長法により選択成長させる。さらにコアー層409を成長させる。選択成長マスク413を除去した後、半導体基板401の全面にクラッド層410を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-05-07 |
| 申请日期 | 1991-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85080]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三冨 修,池田 正宏,笠谷 和生. 光結合デバイスの製造方法. JP1993114767A. 1993-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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