光半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小川 洋; 松井 康浩; 荒平 慎; 沓澤 聡子 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064483A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光導波路の一部を除去するエッチング工程および硫化アンモニウムを含む水溶液に浸漬する工程を経ることなく、比較的簡単な工程で、厚さ寸法の異なる光導波路14、15を高い結合効率で結合できる光半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板10上に第1および第2の光導波路14、15を結晶成長させるに先立ち、第1の光導波路14よりも厚さ寸法の小さな第2の光導波路15を結晶成長させる部分11Bに、両光導波路14、15の厚さ寸法T1、T2の差の半値分H、半導体基板材料を成長させて当該部分11Bを嵩上げし、その後、互いに厚さ寸法の異なる連続した第1および第2の光導波路14、15を一括的に結晶成長させ、これにより、両光導波路14、15の光軸を一致させて高い光結合を達成する。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85082]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小川 洋,松井 康浩,荒平 慎,等. 光半導体装置の製造方法. JP1997064483A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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