半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 池谷 晃 |
| 发表日期 | 1996-05-31 |
| 专利号 | JP1996139054A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 エピタキシャル成長層にオートドーピングを生じることなく、半導体基板と基板側電極の接触抵抗を低減する。 【構成】 半導体基板と基板側電極の界面層のキャリア供与体密度を半導体基板の平均キャリア供与体密度よりも高濃度とする。 【効果】 半導体基板と基板側電極の界面層のキャリア供与体密度が高いため、基板側電極の接触抵抗は十分低減することが可能であるとともに、半導体基板のエピタキシャル成長面側はオートドーピングを生じない程度のキャリア供与体密度とできる。 |
| 公开日期 | 1996-05-31 |
| 申请日期 | 1994-11-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池谷 晃. 半導体装置. JP1996139054A. 1996-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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