半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 多田 健太郎 |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303501A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 外部微分量子効率とキンクレベルの双方ともが高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体基板上に、活性層と、この活性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなクラッド層とからなるダブルヘテロ構造が形成してあり、かつ活性層からみて基板と反対側にストライプ状のメサ構造を有し、該メサ構造の両脇にクラッド層よりも屈折率の大きな第1の電流ブロック層を有し、さらにその両外側にクラッド層よりも屈折率の小さな第2の電流ブロック層を有する構成とする。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85089]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 健太郎. 半導体レーザ. JP1998303501A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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