歪多重量子井戸半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 隆宏 |
| 发表日期 | 1997-04-04 |
| 专利号 | JP1997092925A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 歪多重量子井戸半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 無バイアスで温度調整を不要とする為に、高温においても低閾値、高効率な半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 第1のSiO2 膜をマスクとして用いてメサストライプを形成し、そのメサストライプを挟む両側面に減圧MOVPE法を用いて、第1のp型InP層5、第1のn型InP層6、第2のp型InP層7の順に成長させる。更に、第1のSiO2 膜を除去し、その後、第2のp型InP層7及びn型InPクラッド層4のなす平面の全面に、第3のn型InP層8を形成し、更にその全面にn+ 型InGaAsPコンタクト層9を成長させる。次に、n+ 型InGaAsPコンタクト層9の全面に第2のSiO2 膜を形成し、第2のSiO2 膜の活性層領域上部にあたる部分をストライプ状に除去する。最後に、n側電極10及びp側電極11を形成し、歪多重量子井戸半導体レーザを得る。 |
| 公开日期 | 1997-04-04 |
| 申请日期 | 1995-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85111]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 隆宏. 歪多重量子井戸半導体レーザ及びその製造方法. JP1997092925A. 1997-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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