半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 太田 洋一郎 |
| 发表日期 | 1993-08-27 |
| 专利号 | JP1993218586A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザチップをサブマウント上にアップ·サイド·ダウンで半田付けする際に、半田がレーザチップの側面に沿って盛上ることがあっても、これによってエピタキシャル成長層のpn接合が短絡されるのを防止する。 【構成】 レーザチップをサブマウント上にアップ·サイド·ダウンで半田付けして構成された半導体レーザ装置において、上記レーザチップは凸状に形成されたメサ形半導体基板の上面に、その上面形状に沿ってレーザ発振に必要な複数の層をエピタキシャル成長により形成して構成され、上記レーザチップをエピタキシャル成長層側で上記サブマウント上に半田付けしたことを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1993-08-27 |
| 申请日期 | 1992-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 洋一郎. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1993218586A. 1993-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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